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Microcontrollers

電容的基本作用

電容器在電子線路中的作用一般概括為:通交流、阻直流。電容器通常起濾波、旁路、耦合、去 耦、轉相等電氣作用。用作貯能元件也是電容器的一個重要應用領域,同電池等儲能元件相比, 電容器可以瞬時充放電,并且充放電電流基本上不受限制,可以為某些設備提供大功率的瞬時脈 沖電流。

1 、隔直流:作用是阻止直流而讓交流通過。

2 、旁路(去耦):為交流電流中某些并聯的元件提供低阻抗通路。

3 、耦合:作為兩個電路之間的連接,允許交流信號通過并傳輸到下一級電路

4 、平滑或濾波: 將整流以后的脈狀波變為接近直流的平滑波,或將紋波及干擾波慮除。

5 、溫渡補償:針對其它元件對溫流的適應性不夠帶來的影響,而進行補償,改善電路的溫度 穩定性。

6 、計時:電容器與電阻器配合使用,確定電路的時間常數。

7 、調諧:對與頻率相關的電路進行系統調諧,比如手機、收音機、電視機。

8 、儲能: 儲能型電容器通過整流器收集電荷,并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的 輸出端。電壓額定值為 40 ~ 450VDC 、電容值在 220 ~ 150 000μF 之間的鋁電解電容 器為較常見的規格。根據不同的電源要求,器件有時會采用串聯、并聯或其組合的形式, 對于 功率級超過 10KW 的電源,通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。

9、浪涌電壓保護: 開關頻率很高的現代功率半導體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影 響。跨接在功率半導體器件兩端的浪涌電壓保護電容器通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓,從而 對半導體器件起到了保護作用,使得浪涌電壓保護電容器成為功率元件庫中的重要一員。 半導體器件的額定電壓和電流值及其開關頻率左右著浪涌電壓保護電容器的選擇。由于這些電容 器承受著很陡的 dv/dt 值,因此,對于這種應用而言,薄膜電容器是恰當之選。不能僅根據電 容值 / 電壓值來選擇電容器。在選擇浪涌電壓保護電容器時,還應考慮所需的 dv/dt 值。

10 、 EMI/RFI 抑制: 這些電容器連接在電源的輸入端,以減輕由半導體所產生的電磁或無 線電干擾。由于直接與主輸入線相連,這些電容器易遭受到破壞性的過壓和瞬態電壓。采用塑膜 技術的 X- 級和 Y- 級電容器提供了最為廉價的抑制方法之一。抑制電容器的阻抗隨著頻率的 增加而減小,允許高頻電流通過電容器。 X 電容器在線路之間對此電流提供“短路”, Y 電容 器則在線路與接地設備之間對此電流提供“短路”。

11 、控制和邏輯電路 :各類電容器均可能被應用于電源控制電路中。除非是在惡劣環境條件 的要求,否則這些電容器的選擇一般都是低電壓低損耗的通用型元件。


                                                  



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