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主要產(chǎn)品系列 
Microcontrollers

CMOS電路中ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)

2009-4-20

 摘 要： 本文研究了在 CMOS 工藝中 I/O 電路的 ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及相關(guān)版圖的要求，其中重
                 點(diǎn)討論了PAD 到VSS電流通路的建立。
 關(guān)鍵詞：ESD保護(hù)電路，ESD設(shè)計(jì)窗口，ESD 電流通路
 
 Construction Strategy of ESD Protection Circuit
 Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept
 ions of ESD protection design are presented.
 
 Key words：ESD protection/On circuit, ESD design window, ESD current path 
 
引言


靜電放電（ESD，Electrostatic Discharge）給電子器件環(huán)境會(huì)帶來破壞性的后果。它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor）的特征尺寸不斷縮小，金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS, Metal-Oxide Semiconductor)的柵氧厚度越來越薄，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗 ESD 性能，需要從全芯片ESD 保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)來進(jìn)行考慮。  

 

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